M00300 - SEMI M3 - Specifications for Polished Monocrystalline Sapphire Substrates StdTpc-Process Chemicals - Acids 5 μm以下のシリコンフィルムを持つSIMOX（酸素の注入による分離）ウェーハの仕様のためのものである。これらの仕様は，SIMOX SOIウェーハの包括的な特性を定めている。計測されたパラメータに対する特定値は，適用のためユーザとサプライヤとの間の合意によって決定される。パラメータ，検査要領及び合格基準を定めることにより，ユーザとサプライヤは共に，一律に製品特性及び品質の要求条件を決めることができる。

5 μm以下のシリコンフィルムを持つSIMOX（酸素の注入による分離）ウェーハの仕様のためのものである。これらの仕様は，SIMOX SOIウェーハの包括的な特性を定めている。計測されたパラメータに対する特定値は，適用のためユーザとサプライヤとの間の合意によって決定される。パラメータ，検査要領及び合格基準を定めることにより，ユーザとサプライヤは共に，一律に製品特性及び品質の要求条件を決めることができる。

4  This Safety Guideline may also be used for the design of computerized user interfaces on equipment

It is an aqueous immersion method

and determine the applicability of regulatory or other limitations prior to use

and supplier-dependent uptime

M00300 - SEMI M3 - Specifications for Polished Monocrystalline Sapphire Substrates StdTpc-Process Chemicals - Acids 5 μm以下のシリコンフィルムを持つSIMOX（酸素の注入による分離）ウェーハの仕様のためのものである。これらの仕様は，SIMOX SOIウェーハの包括的な特性を定めている。計測されたパラメータに対する特定値は，適用のためユーザとサプライヤとの間の合意によって決定される。パラメータ，検査要領及び合格基準を定めることにより，ユーザとサプライヤは共に，一律に製品特性及び品質の要求条件を決めることができる。This standard was technically approved by the global Silicon Wafer Committee. This edition was approved for publication by the global Audits & Reviews Subcommittee on April 25, 2007. It was available at www. semi. org in June 2007. Originally published in 1978; previously published March 2004. NOTICE: This document was balloted and approved for withdrawal in 2007. Sapphire substrates are utilized for heteroepitaxial growth of silicon films for certain